特許

J-GLOBAL ID：200903004848320316

メモリー素子

発明者： 榊間 博 ,  入江 庸介 ,  川分 康博 ,  里見 三男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-294410
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139069
出願日： 1995年11月13日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】 磁気抵抗素子部の数が増加した場合であっても、読み出し出力の信号対雑音比S/Nが劣化することのないメモリー素子を提供する。【解決手段】 各メモリー素子構成要素の磁気抵抗素子部Ri,j を、縦横マトリックス状に配置された情報読み出し用のセンス線Si 、Sj に独立に接続する。また、磁気抵抗素子部Rの近傍に、情報を書き込むための磁界を発生させるワード線を絶縁膜を介して設ける。

請求項（抜粋）：

抵抗の変化によって情報が書き込まれる磁気抵抗素子部と、前記磁気抵抗素子部の近傍に絶縁膜を介して設けられた導体からなる情報書き込み用のワード線と、情報読み出し用のセンス線とを備えたメモリー素子構成要素を縦横マトリックス状に配置したメモリー素子であって、前記各メモリー素子構成要素の磁気抵抗素子部が縦横方向に配置されたセンス線に独立に接続されていることを特徴とするメモリー素子。