特許

J-GLOBAL ID：200903004849047443

半導体の製造方法

発明者： 倉又 朗人
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-118276
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316151
出願日： 1995年05月17日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 窒素化合物半導体の化学気相堆積法に関し,成長温度を低くしかつアンモニア使用効率を向上する。【構成】 窒素を含む化合物半導体の製造方法において,アンモニア及び窒素有機化合物を含む反応ガスを用いる。窒素有機化合物は,ターシャリブチルアミン又はジメチルヒドラジンを含めたアミン化合物又はアルキルヒドラジンとすることができる。

請求項（抜粋）：

化学気相堆積法による窒素を含む化合物半導体の製造方法において,アンモニア及び窒素有機化合物を含む反応ガスを用いることを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 A ,  H01S 3/18