特許

J-GLOBAL ID：200903004852022745

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： 藤井 隆行
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-242770
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055266
出願日： 1991年08月27日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 逆耐圧が高く、ゲート・ソース間容量の少ない微細ゲート電極を形成する。【構成】 n型GaAs層2上にノンドープGaAs層3を形成し、ノンドープGaAs層3のリセスにゲート電極6aを形成し、このゲート電極6aをマスクとしてイオン注入を行い、ゲート電極6a側面にノンドープGaAs層3を残存させて高濃度n層7を形成する。

請求項（抜粋）：

不純物が注入された半導体層上に、ショットキ接触するゲート電極と、オーム性接触するソース及びドレイン電極とを備えた電界効果トランジスタにおいて、上記半導体層上に形成され、リセスを有する第2の不純物注入半導体層と、該第2の不純物注入半導体層のリセス側壁に形成されたノンドープ半導体層と、該ノンドープ半導体層に接するとともに、上記リセス底面の上記半導体層に接触するゲート電極とを備えたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 29/80 F ,  H01L 21/265 V