特許

J-GLOBAL ID：200903004857185901

半導体装置およびその製造方法

発明者： 井上 康太郎 ,  廣沢 達也
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-013526
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232353
出願日： 1993年01月29日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】製造工程の途中でのウェハの反り、金属シリサイド膜の剥れなどを防止し得る半導体ウェハを提供する。【構成】半導体ウェハ面内のチップ領域には配線用の金属シリサイド膜および多結晶シリコン膜が積層状態で存在し、チップ領域が形成されないウェハ周辺領域には上記金属シリサイド膜が存在しないことを特徴とする。

請求項１：

半導体ウェハ面内のチップ領域上には配線用の多結晶シリコン膜および金属シリサイド膜が積層状態で存在し、チップ領域が形成されないウェハ周辺領域には上記金属シリサイド膜が存在しないことを特徴とする半導体装置。