特許
J-GLOBAL ID：200903004857549350
電力用半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-048318
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110117
出願日： 1992年03月05日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】素子面積の増大をもたらすことなく、優れた素子特性を示す電力用半導体素子を提供することを目的とする。【構成】n- 型ベース層1の一方の面に深い溝2が加工されて、ここに高濃度p+ 型アノード層3が埋込み法により形成され、他方の面にn+ 型カソード層5が形成されて、pn接合ダイオードを構成する。
請求項（抜粋）：
深い不純物層を有する電力用半導体素子において、前記不純物層が半導体基板表面に加工された溝に埋込み形成されたものであることを特徴とする電力用半導体素子。
IPC (4件)：
H01L 29/91
, H01L 21/76
, H01L 29/74
, H01L 29/784
H01L 29/91 C
, H01L 29/78 321 J
