特許

J-GLOBAL ID：200903004857609280

単結晶製造装置

発明者： 星 金治 ,  大日方 厚夫 ,  木地 徳一 ,  田中 豊彦
出願人/特許権者： 三菱製鋼株式会社 ,  テクノ電気工業株式会社
代理人 (1件)： 小松 秀岳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-321605
公開番号（公開出願番号）：特開平10-167875
出願日： 1996年12月02日
公開日（公表日）： 1998年06月23日
要約：

【要約】【課題】 同一電力で高い磁束密度を得るか、又は同じ磁束密度を得るのに小さな電力量しか必要とせず、かつコイル外部への漏洩磁界が少ないカスプ磁界を発生コイルを用いた単結晶製造装置を提供する。【解決手段】 ルツボ内に収容した半導体材料の融液の対流の制御を、外周部から励磁したカスプ磁界発生コイル対により形成されたカスプ磁界によって行いつつ、ルツボから単結晶の引き上げを行う装置において、該カスプ磁界発生コイル対の各々の内側を除く外側、上側及び下側の三面の内少なくとも2面が強磁性体ヨークで覆われていることを特徴とする単結晶製造装置。

請求項（抜粋）：

ルツボ内に収容した半導体材料の融液の対流の制御を、外周部から励磁したカスプ磁界発生コイル対により形成されたカスプ磁界によって行いつつ、ルツボから単結晶の引き上げを行う装置において、該カスプ磁界発生コイル対の各々の内側を除く外側、上側、及び下側の三面の内少なくとも2面が強磁性体ヨークで覆われていることを特徴とする単結晶製造装置。

IPC (3件)：

C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 15/00 Z ,  C30B 29/06 502 G ,  H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特公平8-018898
  
• 特開昭61-222984
  
• 特許第2537369号