特許
J-GLOBAL ID：200903004857772351
レーザー処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-173709
公開番号（公開出願番号）：特開平6-124913
出願日： 1993年06月21日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 レーザーアニールによってIV族元素被膜の活性化をおこなうための最適な条件を提供する。【構成】 絶縁基板上に形成され、高エネルギーのイオン照射によって結晶性の損なわれたシリコン等の被膜をエキシマーレーザー等のパルスレーザーによって活性化する際に、レーザーのエネルギー密度をE〔mJ/cm2 〕、レーザーパルスのショット数をN〔回〕とするときに、log10N≦-0.02(E-350)となるように、レーザーのエネルギー密度とショット数を設定する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に、形成されたIV族元素を主成分とし、高エネルギーの不純物イオンを照射された被膜に波長400nm以下、パルス幅50nsec以下のパルス状レーザー光を照射することによって半導体を活性化せしめるレーザーアニール方法において、該被膜上には厚さ3〜300nmの酸化珪素を主たる成分とする被膜が形成されていることと、照射されるレーザーのエネルギー密度E〔mJ/cm2 〕と照射パルス数Nの間に、log10N≦-0.02(E-350)の関係を有することを特徴とするレーザー処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/268
, H01L 21/265
, H01S 3/097
H01L 21/265 B
, H01S 3/097 Z
