特許

J-GLOBAL ID：200903004862797265

半導体装置の電極構造およびその電極形成方法

発明者： 山本 充彦
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-029089
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221108
出願日： 1994年01月31日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置において、電極形成が技術的に困難なウェット方式の電解メッキ法を用いず、完全ドライ方式で電極を形成することができるようにする。【構成】 基板1のアルミ電極3およびパッシベーション膜4の上に、ポリイミド等の有機材料の絶縁物質により有機膜5を形成して、アルミ電極3の上方部だけ残るようにパターンニングすることで、有機膜突起6を形成する。次いで、この有機膜突起6に酸素ラジカル等の高エネルギー粒子7を照射して、少なくとも一部がアモルファス化されてアモルファスカーボン状態の導電性物質(変質層8)に変質した導電性有機膜電極9を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の電極構造であって、有機材料の絶縁物質を高エネルギー粒子により導電性物質に変質させた導電性有機膜からなる突起電極を備えたことを特徴とする半導体装置の電極構造。

IPC (3件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/28

FI (3件)：

H01L 21/92 D ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/92 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-009196
  
• 特開平4-208532
  
• 特開平4-213833