半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-285988
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129730
出願日： 1995年11月02日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】コンタクトホールの深さの違いにより、オーバーエッチング量がばらつき、ウエハプロセスの歩留りが低下したりデバイス性能が低下する。【解決手段】基板1上に形成された第1の層間絶縁膜3と第2の層間絶縁膜6との間に、第1の層間絶縁膜3に形成される第1のコンタクトホール4のレジストマスク11を形成する際に形成した反射防止膜12を除去せず残存させておく。この反射防止膜12は第2の層間絶縁膜6とエッチング選択性を有するシリコン窒化膜よりなる。第3及び第2の層間絶縁膜9、6を選択的にエッチングできる条件にてエッチングし、反射防止膜12の表面で一旦エッチングを停止させた後、エッチング条件を変更し、反射防止膜12及び第1の層間絶縁膜3をエッチングし、ウエハ内で深さの異なる第3のコンタクトホール10を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜と導電体層とをそれぞれ所定パターンで複数層交互に形成し、上記複数の絶縁膜が互いに連接して積層されてなる絶縁積層体の上面に形成される導電体層と上記絶縁積層体下に形成された導電体層又は半導体基板とを電気的に接続するため、上記絶縁積層体をエッチングしてコンタクトホールを形成する半導体装置の製造方法において、上記絶縁積層体の下層に位置する絶縁膜上に形成する反射防止膜を、当該絶縁膜より上層に形成される絶縁膜とエッチング選択性を有する絶縁物で構成するとともに、上記絶縁膜のパターニング後も上記反射防止膜を除去せず残存させておくことにより、上記コンタクトホールを形成するための上記絶縁積層体のエッチング工程において、上記反射防止膜で一旦エッチングを停止させるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/027 , H01L 21/3065

FI (5件)：

H01L 21/90 C , H01L 21/28 L , H01L 21/30 574 , H01L 21/302 J , H01L 21/90 A

引用特許：

審査官引用 (7件)

多層配線の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-238303 出願人：三菱電機株式会社
特開平1-215044
配線パターンの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-216754 出願人：ソニー株式会社

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