特許
J-GLOBAL ID：200903004868203863
シリコンウエハ表面の異物検出光学系
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶山 佶是 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-035480
公開番号（公開出願番号）：特開平9-210918
出願日： 1996年01月30日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 シリコンウエハの表面または内部に存在する、結晶欠陥と酸化物層によるノイズを減少して、表面に存在する0.1μm以下の異物を検出する。【解決手段】 波長488nmのP偏光のレーザビームLT を出力するアルゴンレーザ発振管511 と、これを集束してウエハ1の表面に対してブリュースター角θB で投射する集束レンズ512 とよりなる投光系51と、光軸がブリュースター角θB と等しい受光角θR に設定され、約20°の集光角を有する集光レンズ521と、S偏光フィルタ522 、および光電子増倍管523 よりなる受光系52とにより構成される。
請求項（抜粋）：
屈折率nのシリコンウエハの表面に対して、レーザ光源よりP偏光のレーザビームをブリュースター角θB で投射し、該投射されたレーザビームの該表面によるP偏光の正反射光を零に近い極小値とする投光系と、該投光系に対して対称的に設けられ、光軸が該ブリュースター角θB に等しい受光角θR に設定され、適当な集光角を有し、該表面に存在する異物によるランダム偏光の散乱光を集光する集光レンズと、該集光された散乱光のS偏光成分を抽出するS偏光フィルタ、および該抽出されたS偏光成分を受光して、異物信号を出力する受光器よりなる受光系とにより構成されたことを特徴とする、シリコンウエハ表面の異物検出光学系。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N 21/88 E
, H01L 21/66 J
