特許

J-GLOBAL ID：200903004868374900

量子細線の形成方法

発明者： 松村 浩二 ,  冨永 久昭 ,  原田 八十雄
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-093031
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310425
出願日： 1993年04月20日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】 結晶欠陥などのダメージを受けることなく、閉じ込め寸法が短い1次元量子細線を容易に形成する。【構成】 N-AlGaAs層2をマスクパターン3によりパターン化した後((b))、クエン酸・過酸化水素系のエッチャントを用いてGaAs層1の(111)面が現れるようにエッチングを行い、N-AlGaAs層2と(111)B面とにより電子が閉じ込められ、〈0-11〉方向にのみ電子の自由度がある細線4を形成する((c))。

請求項（抜粋）：

化合物半導体を用いて1次元量子細線を形成する方法において、クエン酸・過酸化水素系のエッチャントを用いて、前記化合物半導体の結晶の(111)面が現れる条件でエッチングを行い、(111)面及び(100)面によってキャリアを閉じ込めて1次元量子細線を形成することを特徴とする量子細線の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/804

FI (2件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 A