半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-185122
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015504
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】絶縁破壊耐性および高遠動作特性に優れたゲート酸化膜を有する半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】酸素活性種を含む雰囲気で半導体の表面を酸化して第1の酸化膜1030を形成する工程(犠牲酸化工程)と、この第1の酸化膜を除去する工程と、前記第1の酸化膜の除去後の半導体の表面を酸化して第2の酸化膜1031を形成する工程(ゲート酸化工程)とを有する半導体装置の製造方法において、前記第2の酸化膜を形成する工程が、第1の酸化温度で半導体の表面を酸化する工程と、前記第1の酸化温度より高い第2の酸化温度で半導体の表面を酸化する工程とを備えた。

請求項（抜粋）：

酸素活性種を含む雰囲気で半導体の表面を酸化して第1の酸化膜を形成する工程と、この第1の酸化膜を除去する工程と、前記第1の酸化膜の除去後の半導体の表面を酸化して第2の酸化膜を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法において、前記第2の酸化膜を形成する工程が、第1の酸化温度で半導体の表面を酸化する工程と、前記第1の酸化温度より高い第2の酸化温度で半導体の表面を酸化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 21/316 S , H01L 21/316 U , H01L 21/31 C , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Fターム (61件)：

5F001AA01 , 5F001AB02 , 5F001AD12 , 5F001AF07 , 5F001AF10 , 5F001AG02 , 5F001AG22 , 5F045AA09 , 5F045AB32 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045AD04 , 5F045AD13 , 5F045AE21 , 5F045AF03 , 5F045BB02 , 5F045BB16 , 5F045DP01 , 5F045EB02 , 5F045EC01 , 5F045EE02 , 5F045EE04 , 5F045EE05 , 5F045EH18 , 5F045GB12 , 5F045GB13 , 5F045HA02 , 5F045HA22 , 5F058BA01 , 5F058BA06 , 5F058BA09 , 5F058BC02 , 5F058BE02 , 5F058BE10 , 5F058BF08 , 5F058BF29 , 5F058BF55 , 5F058BF62 , 5F058BF73 , 5F058BF80 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP45 , 5F083EP50 , 5F083GA01 , 5F083GA21 , 5F083GA24 , 5F083GA27 , 5F083HA06 , 5F083HA07 , 5F083JA32 , 5F083JA36 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR12 , 5F083PR21 , 5F083PR38

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置の製造方法及び半導体製造装置、及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-068916 出願人：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-312121 出願人：株式会社東芝

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