特許

J-GLOBAL ID：200903004880799399

シリサイドの成膜方法

発明者： 宮本 孝章
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-147812
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343402
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 成膜初期にメタルリッチなシリサイドが形成されることなく面内で均一なシリサイド膜を得る。【構成】 ポリシリコン膜4上に、窒化チタン膜5を介在して、WSiX膜6を形成したことにより、WSiXの成膜ガスであるWF6に電子を供与することがなく、そのためFの解離が起らない。このため、W核の形成も起らずWリッチなWSiX膜を形成されず、WF6+SiH2Cl2の反応で形成されWSiX核が面内にて均一に成長する。

請求項（抜粋）：

ポリシリコン膜上にシリサイド膜を形成するシリサイドの成膜方法において、少なくともシリサイド膜とポリシリコン膜の間に、低抵抗且つ電気陰性度の大きい材料でなる中間層を介在させることを特徴とするシリサイドの成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/62 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 29/78 301 G