特許
J-GLOBAL ID：200903004886094010
磁気抵抗効果素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-256208
公開番号（公開出願番号）：特開2001-084532
出願日： 1999年09月09日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 実用的な素子サイズに適合する抵抗値を有する強磁性トンネル接合を歩留りよく形成できる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。【解決手段】 2層の強磁性層(12、14)の間に誘電体層(13)を設けた構造を有する強磁性一重トンネル接合、または3層の強磁性層(12、14、16)の各層間に誘電体層(13、15)を設けた構造を有する強磁性二重トンネル接合を含む磁気抵抗効果素子を製造するにあたり、強磁性層(12、14)上に誘電体膜(13a、15a)を形成する工程と、酸素または窒素を含有するガスを導入して誘電体膜を酸化または窒化するか、ガスを導入した後にグロー放電させてプラズマ中で誘電体膜を酸化または窒化(13b、15b)する工程とを有する。
請求項（抜粋）：
2層の強磁性層の間に誘電体層を設けた構造を有する強磁性一重トンネル接合、または3層の強磁性層の各層間に誘電体層を設けた構造を有する強磁性二重トンネル接合を含む磁気抵抗効果素子を製造するにあたり、強磁性層上に誘電体膜を形成する工程と、酸素または窒素を含有するガスを導入して誘電体膜を酸化または窒化するか、前記ガスを導入した後にグロー放電させてプラズマ中で誘電体膜を酸化または窒化する工程とを具備したことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
IPC (4件)：
G11B 5/39
, G01R 33/09
, H01L 43/08
, H01L 43/12
G11B 5/39
, H01L 43/08 Z
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
2G017AA01
, 2G017AD55
, 2G017AD59
, 2G017AD62
, 2G017AD63
, 2G017AD65
, 5D034BA03
, 5D034BA15
, 5D034BA21
, 5D034DA07
