特許

J-GLOBAL ID：200903004890778004

ダイヤモンド半導体装置およびその製造方法

発明者： 西林 良樹 ,  鹿田 真一 ,  藤森 直治
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-082480
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283361
出願日： 1992年04月03日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【目的】 半導体ダイヤモンドと金属あるいは導電材料との接触抵抗の低いオーミック接合を得る。【構成】 p型ダイヤモンド基板4の一方の表面上には、ショットキー電極3が形成されている。また、このP型ダイヤモンド基板4の他方の表面上には、p+ダイヤモンド層1が形成されている。このp+ ダイヤモンド層1の表面上には、凹凸が形成されている。この凹凸は、高低差が100μmの距離に対して100Åを越え10000Å以下である。この凹凸が形成されたp+ ダイヤモンド層1の表面上には、オーミック電極2が形成されている。

請求項（抜粋）：

少なくとも主表面がダイヤモンドからなり、その主表面に凹凸が形成された基板と、前記基板の主表面に形成された導電領域と、前記導電領域と接するように形成された導電層とを備え、前記凹凸の高低差が100μmの距離に対して100Åを越え10000Å以下であることを特徴とする、ダイヤモンド半導体装置

IPC (5件)：

H01L 21/28 301 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812