特許
J-GLOBAL ID：200903004895045986
加熱装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石戸 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-147949
公開番号（公開出願番号）：特開平7-006973
出願日： 1993年06月18日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：
【要約】【目的】 熱効率を高め、発熱部と非発熱部の温度差を極めて少なくし、半導体基板面内の温度分布を均一にかつ高精度に制御できると共に、装置の簡略化及びメンテナンスの容易化を達成することができ、寿命を延長できる加熱装置を提供する。【構成】 基板搬入出口1を有する、密閉された箱形断熱材2の対向内面に、それぞれ半導体基板を加熱するヒータブロック3を配置し、ヒータ素線4を波形に加工しセラミックファイバー5内に一体成型して該ヒータブロック3を形成し、このヒータブロック3を前,後部、左右部及び中央部の4ゾーン、3L,3U,3S及び3Cに分け、各ゾーンを独立に温度制御する。
請求項（抜粋）：
基板搬入出口(1)を有する、密閉された箱形断熱材(2)の対向内面に、それぞれ半導体基板を加熱するヒータブロック(3)を配置し、ヒータ素線(4)を波形に加工しセラミックファイバー(5)内に一体成型して該ヒータブロック(3)を形成してなる加熱装置。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
