特許
J-GLOBAL ID:200903004897422850
有機半導体材料及びそれを用いる薄膜トランジスタ素子
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-243458
公開番号(公開出願番号):特開2004-083650
出願日: 2002年08月23日
公開日(公表日): 2004年03月18日
要約:
【課題】π共役系ポリマーを有機半導体材料として薄膜トランジスタに用い、リーク電流の発生を抑え、良好なオン-オフ比を得る。【解決手段】π共役系ポリマーからなり、含有される不純物の量が100ppm以下である有機半導体材料及び、該有機半導体材料からなる電界効果活性層で連結されたソース電極及びドレイン電極と、大気圧プラズマ法により形成され、酸化物または窒化物からなる絶縁層とを有する薄膜トランジスタ素子。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
π共役系ポリマーからなり、含有される不純物の量が100ppm以下であることを特徴とする有機半導体材料。
IPC (3件):
C08G61/12
, H01L29/786
, H01L51/00
FI (4件):
C08G61/12
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 618G
, H01L29/28
Fターム (52件):
4J032BA03
, 4J032BA04
, 4J032BA08
, 4J032BA09
, 4J032BA12
, 4J032BA13
, 4J032BA14
, 4J032BB01
, 4J032BB04
, 4J032CA03
, 4J032CA62
, 4J032CB01
, 4J032CG01
, 5F110AA06
, 5F110CC01
, 5F110CC03
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE42
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF21
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110FF30
, 5F110GG05
, 5F110GG33
, 5F110GG34
, 5F110GG42
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110QQ14
引用特許:
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