特許

J-GLOBAL ID：200903004899239440

結晶成長方法

発明者： 皆川 重量 ,  田中 俊明 ,  石谷 善博 ,  大歳 創
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-039444
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249831
出願日： 1994年03月10日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】 AlGaInN系のエピタキシャル結晶にファブリ・ペロ・キャビテイを形成する結晶成長方法を提供することにある。【構成】 サファイアAl2O3の(0001)基板結晶11の上に有機金属とアンモニアを用いてn型GaN層12を成長し,その表面に薄膜13を被着したのち,該薄膜を該基板結晶の〔1-100〕または〔11-20〕方向に長い長方形に除去し,その開口部にAlGaInN系の結晶から成るダブル・ヘテロ構造14〜16を成長せしめ,しかる後にアンモニアの代わりにヒドラジン誘導体をもちいて,より低温でさらにAlGaInN系の結晶18を成長する。【効果】 結晶格子で規定された良好なキャビテイが得られる。

請求項（抜粋）：

サファイアAl2O3の(0001)基板結晶の上に有機金属とアンモニアを用いてn型GaNを成長し,その表面に薄膜を被着したのち,該薄膜を該基板結晶の〔1-100〕または〔11-20〕方向に長い長方形に除去し,その開口部にAlGaInN系の結晶から成るダブル・ヘテロ構造を成長せしめ,しかる後にアンモニアの代わりにヒドラジン誘導体をもちいて,さらにAlGaInN系の結晶を成長することを特徴とする結晶成長方法。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205