特許
J-GLOBAL ID：200903004901374032
多層膜作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-084588
公開番号（公開出願番号）：特開平6-299340
出願日： 1993年04月12日
公開日（公表日）： 1994年10月25日
要約：
【要約】【目的】 材料物質同志が反応し易い物質であっても、界面で反応しないようにすると共に多層膜の表面を滑らかで平坦にできる作製方法を実現させる。【構成】 一般に、真空容器1内に配された半導体又は金属基板8に、例えばモリブデンとタングステンをそれぞれ気化させた物質4a,5aを交互に入射させて凝縮させることにより多層膜が得られる。この発明では、蒸着中の膜厚に応じて、基板に入射する気化物質のエルギーを可変する。そのため、基板8を接地すると共に、各材料物質をイオン源11,12の容器内でイオン化させ、かつその容器に印加する直流電圧を調整して内部イオンのエネルギーを可変し、そのイオンを基板に入射させる。イオン源11,12内には材料物質のイオン以外に不活性ガスのイオンも混じっているので、磁場型質量分離器13,14を通して前者のイオンで所定の電荷をもつイオンのみを選択して基板へ入射させる。
請求項（抜粋）：
少くとも2種の気化された材料物質を真空槽内に配された半導体又は金属基板に交互に入射させて凝縮させる多層膜作製方法において、その多層膜を構成する所定の膜に対して、蒸着中の膜厚に応じて、前記基板に入射する前記気化物質のエネルギーを可変することを特徴とする多層膜作製方法。
IPC (3件)：
C23C 14/32
, C23C 28/00
, H01L 21/203
