特許
J-GLOBAL ID:200903004902036203

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 矢作 和行 ,  野々部 泰平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-091587
公開番号(公開出願番号):特開2008-251845
出願日: 2007年03月30日
公開日(公表日): 2008年10月16日
要約:
【課題】腐食環境で使用されるものであって、体格を大きくすることなく、電極部の腐食を抑制することができる半導体装置を提供すること。【解決手段】腐食環境に晒される半導体装置であって、半導体基板10と、半導体基板10に形成されるものであり、外部との電気的接続用の電極部31を有する配線層30と、電極部31に対応する位置に開口部41を有した状態で配線層30を覆う保護層40と、電極部31を覆う導電性のアモルファス構造を有するブロック層50とを備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
腐食環境に晒される半導体装置であって、 半導体基板と、 前記半導体基板に形成されるものであり、外部との電気的接続用の電極部を有する配線層と、 前記電極部に対応する位置に開口部を有した状態で前記配線層を覆う保護層と、 前記電極部を覆う導電性のアモルファス構造を有するブロック層と、 を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件):
H01L 21/60
FI (1件):
H01L21/60 301P
Fターム (4件):
5F044AA15 ,  5F044EE06 ,  5F044EE08 ,  5F044EE21
引用特許:
出願人引用 (2件)

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