特許
J-GLOBAL ID：200903004906700507
多層レジスト法及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-096285
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291130
出願日： 1992年04月16日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【構成】酸素の反応性イオンエッチング耐性を有するシリコン含有化学増幅系レジストを用いて形成した上層レジスト2に接する下層レジスト層3の組成中に、化学増幅系レジストの現像に係わる潜像形成反応で使用される触媒と同種の触媒を発生させる触媒前駆体をあらかじめ含有させ、活性化学線1のパタン露光によって、上層レジスト中に化学増幅反応の触媒発生部からなる露光潜像形成と同時にその潜像に接する下層レジスト部にも触媒物質を発生させる。【効果】化学増幅系シリコン含有レジストからなる上層レジスト中に発生した触媒物質の、有機樹脂からなる下層レジストへの拡散に伴う上層レジストパタンの劣化を防ぎ、高集積半導体装置の微細加工を高精度かつ高効率で実現できる。
請求項（抜粋）：
シリコン含有化学増幅系レジストを用いて形成した上層レジストパタンをマスクとして、前記上層レジストパタンを酸素プラズマを含むドライエッチング媒体を用いて有機樹脂からなる下層レジスト層に転写する多層レジスト法において、前記下層レジスト層の少なくとも前記上層レジストに接触する部分の組成中に、化学増幅系レジストの現像に係わる潜像形成反応で使用される触媒と同種の触媒を発生させる触媒発生剤を含有することを特徴とする多層レジスト法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/26 511
