半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-234459
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084908
出願日： 1992年09月02日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】多層配線の層間絶縁膜を平坦化する。【構成】シリコン基板1上に熱酸化膜2を介してチタン・タングステン膜8と白金膜9と金メッキ膜11Aとからなる配線と、液相成長の酸化膜5を同じ厚さに形成し、その上にポリイミド系樹脂膜7を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を介して形成された金属配線と、この金属配線間に液相成長法により形成され金属配線とほぼ同じ厚さの酸化膜と、この酸化膜と前記金属配線の上面に形成された塗布膜とを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301

FI (2件)：

H01L 21/88 R , H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (5件)

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