特許

J-GLOBAL ID：200903004912072607

高純度炭酸ストロンチウムの製造方法

発明者： 新藤 裕一朗
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 並川 啓志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-259534
公開番号（公開出願番号）：特開平9-077517
出願日： 1995年09月13日
公開日（公表日）： 1997年03月25日
要約：

【要約】【課題】 Na等のアルカリ金属含有率の低い、高純度炭酸ストロンチウムの製造方法を開発する。【解決手段】 ストロンチウム含有水溶液に硫酸又は硫酸塩を添加して硫酸ストロンチウムを生成させ、次いで該生成硫酸ストロンチウムを炭酸塩化して高純度炭酸ストロンチウムを製造する方法において、アンモニウム塩の存在下で硫酸ストロンチウムを生成させることを特徴とする。アンモニウム塩の濃度は、0.05mol/l以上が好ましい。

請求項（抜粋）：

ストロンチウム含有水溶液に硫酸又は硫酸塩を添加して硫酸ストロンチウムを生成させ、次いで該生成硫酸ストロンチウムを炭酸塩化して高純度炭酸ストロンチウムを製造する方法において、アンモニウム塩の存在下で硫酸ストロンチウムを生成させることを特徴とする高純度炭酸ストロンチウムの製造方法。

IPC (3件)：

C01F 11/18 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203

FI (3件)：

C01F 11/18 M ,  C23C 14/34 A ,  H01L 21/203 S