特許

J-GLOBAL ID：200903004916012285

光電変換材料および光センサー素子

発明者： 平井 桂
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-259806
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103275
出願日： 2002年09月05日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】光応答性に優れた光電変換材料およびこの光電変換材料を用いた光センサー素子を提供すること、又、構成が簡単で製造コストの低減された光センサー素子を提供すること。【解決手段】有機半導体中にハロゲン化銀粒子を含有する光電変換材料、及びハロゲン化銀粒子を含有する有機半導体からなる層およびこれに接する2つ以上の電極を有してなることを特徴とする光センサー素子。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

有機半導体中にハロゲン化銀粒子を含有することを特徴とする光電変換材料。

IPC (4件)：

H01M14/00 ,  C09K3/00 ,  H01L31/08 ,  H01L51/10

FI (3件)：

H01M14/00 P ,  C09K3/00 C ,  H01L31/08 T

Fターム (27件)：

2G065BA10 ,  2G065CA23 ,  2G065CA25 ,  2G065DA20 ,  5F088AA11 ,  5F088AB11 ,  5F088AB16 ,  5F088BA01 ,  5F088BA20 ,  5F088BB07 ,  5F088DA05 ,  5F088DA20 ,  5F088FA04 ,  5F088FA05 ,  5F088FA09 ,  5F088GA02 ,  5F088JA17 ,  5F088LA07 ,  5F088LA08 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE02 ,  5H032EE03 ,  5H032EE04 ,  5H032EE16 ,  5H032HH04