半導体装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西藤征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-241933
公開番号（公開出願番号）：特開平9-118810
出願日： 1988年02月15日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】【課題】高温雰囲気中における長時間放置において発生するハロゲンイオンを捕捉し、高温放置時において優れた信頼性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】下記の(A)〜(D)成分を含有する臭素含有量0.5〜5重量%のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止して得られた半導体装置である。(A)エポキシ樹脂。(B)フェノール樹脂。(C)臭素含有量20〜60重量%の臭素化エポキシ樹脂。(D)下記の一般式(1)で表されるハイドロタルサイト類化合物。【化1】

請求項（抜粋）：

下記の(A)〜(D)成分を含有する臭素含有量0.5〜5重量%のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)エポキシ樹脂。(B)フェノール樹脂。(C)臭素含有量20〜60重量%の臭素化エポキシ樹脂。(D)下記の一般式(1)で表されるハイドロタルサイト類化合物。【化1】

IPC (11件)：

C08L 63/00 NKV , C08L 63/00 NJS , C08L 63/00 NJW , C08L 63/00 NKB , C08G 59/62 NJW , C08K 3/26 , C08L 61/04 LMS , C08L 61/04 LNB , C09K 3/10 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (10件)：

C08L 63/00 NKV , C08L 63/00 NJS , C08L 63/00 NJW , C08L 63/00 NKB , C08G 59/62 NJW , C08K 3/26 , C08L 61/04 LMS , C08L 61/04 LNB , C09K 3/10 L , H01L 23/30 R

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭62-254453
特開昭62-136860
特開昭55-036215

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