特許

J-GLOBAL ID：200903004919645700

ダイボンド方法及びその装置

発明者： 小沢 淳
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-107442
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302628
出願日： 1993年04月09日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】 半導体チップ下部の銀ペースト内に気泡を発生すること無く、良好なダイボンドを行う。【構成】 半導体チップ1を吸着したダイコレットを傾けたまま降下させ(図1(1))、まず半導体チップ1の一辺のみを接地させた後(図1(2))、半導体チップ1が水平に成る様ダイコレットを垂直に戻した後に所定のボンディング荷重を加える(図1(3))。【効果】 銀ペースト3内の気泡を無くすことができ、信頼性の高い半導体装置の組立が可能となる(半田耐熱及び温度サイクル試験での突発不良の原因の一つが解決される)。

請求項（抜粋）：

半導体チップを基材上に導電性接着剤を用いて固定するダイボンド方法において、前記半導体チップを導電性接着剤が塗布された前記基材に対して傾斜させて接触させた後、前記半導体チップを前記基材に押しつけたまま前記半導体チップを前記基材に対して平行にし、所定のボンディング荷重を加える事を特徴とするダイボンド方法。