特許
J-GLOBAL ID：200903004921389656
磁気抵抗効果素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-178740
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029589
出願日： 1992年07月07日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】 磁気抵抗変化を大きくして高出力を得る。【構成】 基体1上に保磁力の異なる2種類の強磁性薄膜層2,3を交互に積層し、各積層磁性薄膜層間に非磁性薄膜層4を介在させた構造からなる磁性多層膜を用い、2種類の強磁性薄膜層2,3の磁化容易軸を検出磁界方向と平行とする。
請求項（抜粋）：
基体上に保磁力の異なる2種類の強磁性薄膜層を交互に積層し、各積層磁性薄膜層間に非磁性薄膜層を介在させた構造からなる磁性多層膜を用いた磁気抵抗効果素子において、前記2種類の強磁性薄膜層の磁化容易軸が検出磁界方向と平行であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
引用特許：
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