特許

J-GLOBAL ID：200903004923265660

薄膜サーミスタ

発明者： 杉下 隆雄
出願人/特許権者： 株式会社芝浦電子
代理人 (1件)： 玉蟲 久五郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-074418
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256004
出願日： 1997年03月11日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【目的】 製造プロセス中の熱処理により著しく付着力が低下することなく、実機使用中の温度変化履歴に対して十分な信頼性のある薄膜サーミスタを提供することにある。【構成】 絶縁性基板上に感温抵抗体膜を形成し、前記感温抵抗体膜上に一部のPd原子が酸化したとみなせるPdOX 膜、Pd膜、Pd膜より厚いAu膜を順次積層した膜構成、或いは、前記PdOX 膜とAu膜を順次積層した複層膜構成からなる一対の電極を形成した薄膜サーミスタとしての構成を有する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に感温抵抗体膜を形成し、前記感温抵抗体膜上に一部のPd原子が酸化したとみなせるPdOX 膜、Pd膜、Pd膜より厚いAu膜を順次積層した膜構成、或いは、前記PdOX 膜とAu膜を順次積層した複層膜構成からなる一対の電極を形成した薄膜サーミスタ。