特許

J-GLOBAL ID：200903004925563650

シリコン基板の接合方法

発明者： 小野田 真稔 ,  加納 一彦 ,  倉橋 崇
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-239999
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082404
出願日： 1991年09月19日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】 比較的低温で加熱処理でき、かつ、強固な接合強度を得るとともに、基板全面で均一な接合強度と接合性が得られるシリコン基板の接合方法を提供することにある。【構成】 2枚のシリコン基板の各接合面を鏡面研磨し、各研磨面をそれぞれ親水化処理する際に、2枚のシリコン基板のうち少なくとも一方のシリコン基板の研磨面の親水化処理は、高周波電源5によるプラズマ発生装置1を用いて酸素を含んだ雰囲気下で、プラズマと電極板4(カソード電極)との間の自己バイアス電圧を125〜225ボルトにした状態にてSi3+,Si2+,Si+ 等のサブオキサイドを有するプラズマ酸化層12を形成させる。その後、この親水性化した接合面同士を直接密着し、これを200〜450°C°、5〜120分で加熱処理して2枚のシリコン基板を相互に接合する。

請求項（抜粋）：

2枚のシリコン基板の各接合面を鏡面研磨し、各研磨面をそれぞれ親水化処理し、この親水化した接合面同士を直接密着し、これを加熱処理して前記2枚のシリコン基板を相互に接合するシリコン基板の接合方法であって、前記研磨面の親水化処理において、前記2枚のシリコン基板のうち少なくとも一方のシリコン基板の研磨面の親水化処理は、高周波電源によるプラズマ発生装置を用いて酸素を含んだ雰囲気下で、プラズマとカソード電極との間の自己バイアス電圧を100〜250ボルトにした状態にて、サブオキサイドを有する酸化層を形成させることを特徴とするシリコン基板の接合方法。