特許
J-GLOBAL ID：200903004931182600

酸化マグネシウム薄膜材料

発明者：
井 手 亜 里

井 手 亜 里 について

, 
東 條 賢

東 條 賢 について

, 
田 中 義 和

田 中 義 和 について


出願人/特許権者：
テクノロジーシードインキュベーション株式会社

テクノロジーシードインキュベーション株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-081747
公開番号（公開出願番号）：特開2005-264272
出願日： 2004年03月19日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】イオン衝撃二次電子放出比に関して従来のMgO保護膜よりも優れた新しい次世代PDP用の保護膜を提供することにある。【解決手段】イオン衝撃二次電子放出特性を改善する手段としては、MgOにバンドギャップの小さい材料(NiO、ZnO、Eu2O3、SnO2、又はCaO)を添加することで、仕事関数や結晶性および表面形状を改善させ、二次電子放出比の向上を図る。【選択図】なし
請求項１：
プラズマディスプレイパネルの誘電体層を放電から保護するために用いる酸化マグネシウム薄膜を形成する材料であって、 酸化マグネシウムに、バンドギャップが1.5eV以上、5.8eV以下の範囲にある添加材を添加したことを特徴とする酸化マグネシウム薄膜材料。
IPC (3件)：
C23C14/24 ,  C04B35/04 ,  H01J11/02
FI (3件)：
C23C14/24 E ,  H01J11/02 B ,  C04B35/04 Z
Fターム (33件)：
4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA11 ,  4G030AA16 ,  4G030AA21 ,  4G030AA24 ,  4G030AA29 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA37 ,  4G030AA39 ,  4G030BA12 ,  4G030BA15 ,  4G030GA03 ,  4G030GA04 ,  4G030GA05 ,  4G030GA08 ,  4G030GA22 ,  4G030GA27 ,  4K029BA43 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029DB05 ,  4K029DB08 ,  4K029DB21 ,  5C040GE07 ,  5C040KB03 ,  5C040KB22 ,  5C040KB28 ,  5C040KB29 ,  5C040MA16 ,  5C040MA17
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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