特許
J-GLOBAL ID：200903004940091919
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-003103
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196393
出願日： 2000年01月12日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】 鉛フリー化に伴う実装温度の上昇に対応できる耐熱性を有し、良好な接合特性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 大電力用の半導体素子1の接合面に、予めニッケル被膜などの第1の金属被膜2と、SnまたはSbを含有する第2の金属被膜3とを形成する。リードフレーム6上にもニッケル被膜などの金属被膜5を形成する。半導体素子1とリードフレーム6とを接合用はんだ材4を用いて接合する。第2の金属被膜3とはんだ材4とが融合して形成される接合部を、Snを主成分とし、Sbを10重量%以上含有する合金とする。
請求項（抜粋）：
半導体支持板との接合面となる表面に、第1の金属被膜と第2の金属被膜とをこの順に形成した半導体素子を作製し、前記半導体素子の前記接合面をはんだ材を用いて前記半導体支持板上に接合するに際し、前記はんだ材とともに前記第2の金属被膜を溶融して前記第2の金属被膜を前記はんだ材に融合させて接合部を形成する半導体装置の製造方法であって、前記第2の金属被膜を錫またはアンチモンを含む被膜とし、前記接合部を、錫を主成分とし、アンチモンを10重量%以上含有する合金とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (4件)：
5F047AA11
, 5F047AB08
, 5F047BA19
, 5F047BC06
