ウエハバーンインに対応する半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：花輪義男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-296521
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124280
出願日： 1998年10月19日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】従来のウエハ状態でバーンイン試験を実施する半導体装置(ICチップ)には、不良となった際に短絡による問題を防止するために入力側にゲート回路を設け動作させて遮断したが、ゲート回路自体が動作不良であった場合、試験中に半導体装置に不良が発生しても電源供給や入出力信号の停止は困難であった。【解決手段】本発明は、半導体装置1の入力側のボンディングパッド7と試験用の電源線4に接続するプロービング用パッド2とを電源遮断部5を有する配線6で接続し、バーンイン試験前に消費電流の測定を行い、ウエハバーンイン試験中に短絡等の不良となる可能性のある半導体装置1の電源遮断部5にレーザ光を照射して溶解し、配線6を電気的に遮断することにより、試験時に電源や試験用信号が印加されないようにして、バーンイン試験を中止させるような不具合の発生を抑制するウエハバーンインに対応する半導体装置である。

請求項（抜粋）：

複数の回路素子で構成され、それぞれの間にスクライブラインが設けられて半導体基板上に多数配置されて形成された半導体装置において、前記スクライブライン上に形成された試験用の電源線と、前記電源線と接続して前記半導体装置内の入力側に形成され、ウエハテスト時に試験装置の試験用端子が押し当てられるプロービング用パッドと、前記半導体装置内に設けられ、前記回路素子に通じるボンディングパッドと前記プロービング用パッドとを接続する配線途中に設けられ、レーザ光の照射で溶解して、導通を遮断する電源遮断部と、を具備し、バーンイン試験前に、前記半導体装置の入力端-GND(アースライン)間が短絡若しくは内部抵抗が規定値以下の半導体装置の前記電源遮断部を切断してバーンイン試験時に試験用電源及び試験用信号が印加しないようにすることを特徴とするウエハバーンインに対応する半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/66 , G01R 31/26

FI (4件)：

H01L 21/66 H , H01L 21/66 B , H01L 21/66 E , G01R 31/26 H

Fターム (16件)：

2G003AA10 , 2G003AB02 , 2G003AC01 , 2G003AF06 , 2G003AH00 , 2G003AH07 , 4M106AA01 , 4M106AA02 , 4M106AA08 , 4M106AC02 , 4M106AC05 , 4M106AD13 , 4M106AD22 , 4M106BA14 , 4M106CA56 , 4M106DJ38

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