特許
J-GLOBAL ID:200903004947074408

薄型樹脂封止半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 清水 守 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-099313
公開番号(公開出願番号):特開平5-299444
出願日: 1992年04月20日
公開日(公表日): 1993年11月12日
要約:
【要約】【目的】 半導体素子に切削溝を形成し、その切削溝をダイサポートに装着することにより、半導体ウエハ厚、リードフレーム厚を薄く、また金属細線の高さを低く抑制することなく、高さの低い薄型樹脂封止半導体装置を得る。【構成】 薄型樹脂封止半導体装置の製造方法において、半導体素子25の裏面に半導体素子固定溝23を形成し、その固定溝23をダイサポート29に装着し、配線を施し樹脂封止する。
請求項(抜粋):
リードフレームに半導体素子を搭載する薄型樹脂封止半導体装置の製造方法において、(a)前記半導体素子の裏面に半導体素子固定用切削溝を形成し、(b)該切削溝をダイサポートに装着し、(c)配線を施し樹脂封止することを特徴とする薄型樹脂封止半導体装置の製造方法。

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