特許
J-GLOBAL ID:200903004947458117

中性子発生管用PIG型負イオン源

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-118536
公開番号(公開出願番号):特開2003-270400
出願日: 2002年03月18日
公開日(公表日): 2003年09月25日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 小形で強力かつ安定して長時間中性子を発生させ得る信頼性の高い中性子発生管を提供する。【解決手段】 PIG型負イオン源から発生する負イオンを加速し、ターゲット5を正極性の高電位にすることで、ファラデーカップ15の汚れによるターゲットからの重元素イオン放出を防止する。又水素の分子イオンを加速しないため、加速電源25の負荷を軽減し、これにより暗電流による絶縁破壊や重イオン加速によるターゲットの消耗を軽減する。PIG型負イオン源より負イオンと同時に加速される電子を除去するため、直交する磁場をもつ1組のダイポール磁界又はそれぞれが90°づつずれた直交する4個のダイポール磁石6をPIG負イオン源の下流に配設し、負イオンのみを加速して中性子の発生効率を向上する。
請求項(抜粋):
密封した真空容器内で重水素D叉は三重水素Tを加速して中性子を発生するパルス中性子発生管においてPIG型負イオン源を具備して負イオンビームを加速し、ターゲット5に印加する電圧の極性を正にすることを特徴とする小形中性子発生管。
IPC (6件):
G21K 5/02 ,  G21K 1/00 ,  G21K 1/093 ,  H01J 27/04 ,  H01J 37/08 ,  H05H 3/06
FI (6件):
G21K 5/02 N ,  G21K 1/00 A ,  G21K 1/093 Z ,  H01J 27/04 ,  H01J 37/08 ,  H05H 3/06
Fターム (7件):
2G085AA01 ,  2G085BA02 ,  2G085BA04 ,  2G085BA09 ,  5C030DD03 ,  5C030DE07 ,  5C030DG01

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