薬液処理方法および薬液処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-067433
公開番号（公開出願番号）：特開平11-224871
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：

【要約】【課題】薬液の活性を厳密に管理し半導体基板の薬液処理の再現性を向上させ、かつ薬液補充量を最小とする薬液処理方法および薬液処理装置を提供する。【解決手段】測定装置11により薬液の所定成分の濃度を測定し、これにより種々の化学種の濃度を算出し、これらをもとに予め実験的に求めた反応速度式を用いて薬液補充前の処理薬液5の処理能力値を算出する。次いで薬液、超純水を補充した場合の薬液処理能力値を補充量に応じて試算し、このうち、薬液処理能力値を維持でき、かつ薬液の補充量が最少となる補充量を確定する。当該補充量の各成分および超純水が送液ポンプ21および送液ポンプ23および送液ポンプ25により送液される。

請求項（抜粋）：

半導体基板を薬液に浸漬することにより該半導体基板の表面処理を行い、該薬液に含まれる前記表面処理に有効な一または二以上の所定成分を補充することにより前記薬液の表面処理性能を維持する半導体基板の薬液処理方法において、以下の(A)〜(C)のステップを行うことにより前記所定成分を補充することを特徴とする薬液処理方法。(A)薬液処理槽内での処理薬液の液面の測定値と、予め設定した液面標準レベル、液面上限レベルおよび液面下限レベルとから前記薬液に含まれる所定成分および超純水の補充可能範囲を求めるステップ。(B)前記薬液の温度と、前記薬液に含まれる前記表面処理に有効な所定成分または化学種の濃度、活量またはこれらに係わる物理量とを計測するステップ。(C)(B)のステップの計測により得られた値と予め実験的に求めた薬液表面処理性能を表現する数式とから算出される前記薬液の表面処理性能が、予め設定された範囲内に収まるように、かつ前記補充可能範囲に収まるように、前記所定成分の補充を行うステップ。

IPC (2件)：

H01L 21/304 642 , H01L 21/304 648

FI (2件)：

H01L 21/304 642 A , H01L 21/304 648 G

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