特許
J-GLOBAL ID：200903004951924416
半導体用保護膜のエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-098893
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099179
出願日： 1994年05月12日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【構成】含フッ素脂肪族環構造を有するポリマーからなる半導体用保護膜のエッチング液として、一般式Rf-Rh、Rf-Rh-RfまたはRh-Rf-Rh(ただし、Rfは炭素数6〜12のポリフルオロアルキル基またはポリフルオロアルケニル基、Rhは水素原子、炭素数1〜4のアルキル基またはアルケニル基)で表される化合物を用いる。さらには、このエッチング後に、ポリフルオロ芳香族系溶剤からなるリンス液でリンスする。【効果】含フッ素脂肪族環構造を有するポリマーからなる保護膜にパターンを形成(エッチング)するにあたり、クラックの発生、ポリマー残渣の表面への付着のないウェットエッチング方法を提供できる。
請求項（抜粋）：
含フッ素脂肪族環構造を有する含フッ素ポリマーからなる半導体用保護膜のエッチング方法において、エッチング液として炭素数5〜30の含水素フッ素系溶剤からなるエッチング液を用いることを特徴とする半導体用保護膜のエッチング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/306
, C09K 13/08
, H01L 21/308
, H01L 21/312
