特許
J-GLOBAL ID：200903004958932333
幅の異なる素子間分離領域を有する半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-055874
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218191
出願日： 1991年02月27日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 幅狭及び幅広の複数の溝型素子間分離領域を有する半導体装置を生産性高く製造する。【構成】 幅の狭い素子間分離領域2を、半導体基板1に形成した溝21を埋め込んでエッチバックすることにより形成し、幅の広い素子間分離領域3を、エッチバックのエッチングストップ層として設けたポリシリコン膜4をそのまま用いてこれを選択酸化することにより形成する。
請求項（抜粋）：
幅の狭い素子間分離領域と幅の広い素子間分離領域とを有する半導体装置の製造方法において、幅の狭い素子間分離領域は、半導体基板上に溝を形成してこの溝をCVD及びエッチバックで埋め込むことにより形成し、幅の広い素子間分離領域は、選択酸化により形成するとともに、前記溝は、半導体基板上にポリシリコン膜を設けた後形成し、前記幅の広い素子間分離領域は、このポリシリコン膜をそのまま用いてこれを選択酸化することにより形成することを特徴とする幅の異なる素子間分離領域を有する半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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