特許

J-GLOBAL ID：200903004959049026

太陽電池

発明者： 高本 達也 ,  池田 英治
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-071708
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270726
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 耐放射線特性にすぐれ、軽量かつ高変換効率の太陽電池を提供する。【解決手段】 アンドープ半導体基板10上に下部電極層11を設け、この下部電極層11の上部の一部に太陽電池層2と、上部の他の一部に下部電極4を設けている。太陽電池層2の上部には上部電極層16および上部電極3を設けている。アンドープ半導体基板10を用いているので放射線照射による抵抗率の変化による太陽電池特性への影響もない。また、光透過特性にも優れているのでメカニカル積層型構造とすれば高い変換効率が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、該半導体基板の上部に形成された下部電極層と、該下部電極層の上方に局部的に形成された少なくとも1つのpn接合を有する太陽電池層と、該太陽電池層の上部に局部的に形成された上部電極層と、該上部電極層の上部に形成された上部電極と、前記下部電極層の上部に局部的に形成された下部電極を少なくとも具備することを特徴とする太陽電池。