特許
J-GLOBAL ID：200903004961882436
ショットキバリアダイオード、およびショットキバリアダイオードを作製する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 柴田 昌聰
, 近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-332295
公開番号（公開出願番号）：特開2008-147388
出願日： 2006年12月08日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：
【課題】耐圧の向上が可能なショットキバリアダイオードを提供する。【解決手段】ショットキバリアダイオード11では、一導電型半導体領域13は、第1の領域13a、第2の領域13b、第3の領域13c有する。第2の領域13bは、第1の領域13aを囲む。第3の領域13cは、第1の領域13aと第2の領域13bとの間に設けられている。導電体15は、半導体領域13の第2の領域13bにショットキ接合を成す。絶縁層17は、半導体領域13の第3の領域13cおよび導電体15上に設けられている。ショットキ電極19は、第1の部分19aと第2の部分19bを含む。第1の部分19aは、半導体領域13の第1の領域13aにショットキ接合を成す。第2の部分19bは、半導体領域13の第2および第3の領域13b、13cの絶縁層17上に位置する。導電体15とショットキ電極19との間には絶縁層が位置している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の領域、前記第1の領域を囲む第2の領域、および前記第1の領域と前記第2の領域との間に設けられた第3の領域を有する一導電型の半導体領域と、
前記半導体領域の前記第2の領域にショットキ接合を成す導電体と、
前記半導体領域の前記第3の領域および前記導電体上に設けられた絶縁層と、
前記半導体領域の前記第1の領域にショットキ接合を成す第1の部分と前記半導体領域の前記第2および第3の領域の前記絶縁層上に位置する第2の部分とを含むショットキ電極と
を備え、
前記導電体と前記ショットキ電極との間には前記絶縁層が位置している、ことを特徴とするショットキバリアダイオード。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L29/48 F
, H01L29/48 D
, H01L29/48 P
, H01L29/48 E
4M104AA04
, 4M104BB09
, 4M104CC03
, 4M104DD68
, 4M104FF10
, 4M104FF31
, 4M104GG03
, 4M104HH18
