半導体集積回路装置の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-104582
公開番号（公開出願番号）：特開2005-252284
出願日： 2005年03月31日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：

【課題】ポリメタルゲートの一部を構成する高融点金属の酸化物による基板の汚染を低減する。【解決手段】多結晶シリコン膜の上部にWNX膜とW膜とを積層したポリメタル(Polymetal)構造のゲート電極7Aを形成した後、ゲート絶縁膜6を再生するための酸化処理を行う際、ゲート電極7Aの側壁のW酸化物27が還元される条件下でウエハ1を昇降温することにより、ウエハ1の表面に付着するW酸化物27の量を低減する。【選択図】図13

請求項（抜粋）：

以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法: (a)ウエハの第1の主面上に高融点金属膜を形成する工程; (b)前記高融点金属膜が形成された前記ウエハの前記第1の主面を、前記高融点金属の酸化物を還元する条件下で、摂氏600度以上の第1の温度まで昇温する工程; (c)水素と、触媒によって酸素および水素から合成された水分とを含む混合ガス雰囲気中において、大気圧以下で1300Pa以上の圧力で、前記高融点金属膜を酸化することなく、前記ウエハの前記第1の主面上のシリコンを主要な成分として含む部分に対して、前記第1の温度で酸化処理を施す工程; (d)前記(c)工程の後、過酸化水素を実質的に含まない中性または弱アルカリ性で、前記高融点金属-水系の酸化還元電位とpH状態図においてpH6.5〜12の範囲で還元電位の領域にある水または薬液により、前記ウエハの前記第1の主面を洗浄する工程。

IPC (13件)：

H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/8238 , H01L21/8242 , H01L21/8247 , H01L27/092 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (10件)：

H01L21/28 301R , H01L21/88 B , H01L29/58 G , H01L29/78 301F , H01L29/78 301G , H01L27/10 434 , H01L27/10 621C , H01L27/10 681A , H01L29/78 371 , H01L27/08 321D

Fターム (152件)：

4M104BB01 , 4M104BB18 , 4M104BB33 , 4M104CC05 , 4M104DD63 , 4M104DD78 , 4M104DD86 , 4M104EE05 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 4M104HH20 , 5F033HH04 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH34 , 5F033JJ04 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033LL04 , 5F033MM08 , 5F033NN03 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN40 , 5F033PP03 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ20 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ73 , 5F033QQ76 , 5F033QQ91 , 5F033QQ94 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033SS01 , 5F033SS02 , 5F033SS13 , 5F033SS15 , 5F033SS27 , 5F033TT02 , 5F033VV06 , 5F033VV16 , 5F033WW00 , 5F033WW03 , 5F033XX20 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC02 , 5F048AC03 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB09 , 5F048BB13 , 5F048BC18 , 5F048BE03 , 5F048BG13 , 5F048DA19 , 5F048DA20 , 5F048DA27 , 5F083AD24 , 5F083AD62 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP55 , 5F083ER22 , 5F083GA02 , 5F083GA27 , 5F083JA04 , 5F083JA06 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083LA30 , 5F083MA02 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR23 , 5F083PR36 , 5F083PR40 , 5F083PR42 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR45 , 5F083PR52 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR55 , 5F083ZA12 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BD02 , 5F101BE07 , 5F101BH02 , 5F101BH14 , 5F140AA01 , 5F140AA28 , 5F140AB03 , 5F140AC32 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD10 , 5F140BE07 , 5F140BE17 , 5F140BF04 , 5F140BF18 , 5F140BF20 , 5F140BF21 , 5F140BF22 , 5F140BF27 , 5F140BF30 , 5F140BF34 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG22 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG32 , 5F140BG33 , 5F140BG34 , 5F140BG38 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK26 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CC16 , 5F140CE07

引用特許：

出願人引用 (35件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-186835 出願人：株式会社東芝
特開昭61-127124号公報
特開昭60-123060号公報

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審査官引用 (4件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-073391 出願人：株式会社東芝
半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-142315 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-149161 出願人：株式会社東芝

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