特許

J-GLOBAL ID：200903004968291190

絶縁膜の製造方法

発明者： 土井 一郎 ,  古谷 一之
出願人/特許権者： 旭化成株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-042179
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243386
出願日： 2002年02月19日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】 ポーラス材料を用いた比誘電率2.5以下の低誘電率材料を形成するための製造方法の提供。【解決手段】 脱水縮合によりシロキサン結合を生成し得る少なくとも1種類以上の化合物と、有機高分子と、を含有する塗布液を基板上に塗布した後、シロキサン結合を生成させるための第一の加熱工程と、引き続き、有機高分子を除去するための第二の加熱工程とからなる絶縁膜の製造方法において、基板温度が200°C以上となっている場合の酸素濃度が1000ppm以下であることを特徴とする絶縁膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

シロキサン結合を生成し得る少なくとも1種類以上の化合物と、有機高分子と、を含有する塗布液を基板上に塗布した後、シロキサン結合を生成させるための第一の加熱工程と、引き続き、有機高分子を除去するための第二の加熱工程とからなる絶縁膜の製造方法において、基板温度が200°C以上となっている場合の酸素濃度が1000ppm以下であることを特徴とする絶縁膜の製造方法。

Fターム (6件)：

5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF46 ,  5F058BH02 ,  5F058BJ02