特許

J-GLOBAL ID：200903004971479010

半導体製造装置

発明者： 翁 美香
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-178258
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022943
出願日： 2002年06月19日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】半導体製造装置に於いて、炉内の温度検出する温度検出器の再組立ての際の再現性を向上し、温度検出精度、信頼性を向上させ、製品品質を向上させる。【解決手段】ヒータ16と、基板を処理する反応室を画成する反応管11と、該反応管の内面に沿って設けられた温度検出器18とを具備した半導体製造装置に於いて、前記温度検出器が保護管21と該保護管に挿入された熱電対22を有し、該熱電対が基部41で固定され、該基部に位置決め用の凸部41cが設けられた。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ヒータと、基板を処理する反応室を画成する反応管と、該反応管の内面に沿って設けられた温度検出器とを具備した半導体製造装置に於いて、前記温度検出器が保護管と該保護管に挿入された熱電対を有し、該熱電対が基部で固定され、該基部に位置決め用の凸部が設けられたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L21/205 ,  G01K1/14 ,  H01L21/22

FI (4件)：

H01L21/205 ,  G01K1/14 L ,  H01L21/22 501N ,  H01L21/22 511Q

Fターム (7件)：

2F056CL12 ,  2F056CL13 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045EB02 ,  5F045EK21 ,  5F045GB05