特許
J-GLOBAL ID：200903004977359202
電力用半導体素子の駆動回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
田澤 博昭
, 加藤 公延
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-221723
公開番号（公開出願番号）：特開2004-064930
出願日： 2002年07月30日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：
【課題】耐圧の高いIGBT1に適用する場合、耐圧の高いダイオード5を多段に直列接続する必要が生じ、コスト高や信頼性の低下を招く課題があった。また、コレクタ電圧検知回路6による短絡検知が著しく遅れ、IGBT1を保護することができない場合がある課題があった。【解決手段】サンプリング回路16がゲート電圧Vgeの検出処理を許可する期間中、そのゲート電圧Vgeを検出して、そのゲート電圧Vgeが基準値を超えると、IGBT11における異常の発生を認定する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
外部からオン指令又はオフ指令を入力すると、電力用半導体素子の開閉状態を制御する制御手段と、上記制御手段がオン指令を入力すると、予め設定された期間中、上記電力用半導体素子に対する上記制御手段の制御量を検出する制御量検出手段と、上記制御量検出手段により検出された制御量を監視して、上記電力用半導体素子における異常の発生を検知する異常検知手段とを備えた電力用半導体素子の駆動回路。
IPC (4件)：
H02M1/00
, H01L21/822
, H01L27/04
, H02M1/08
H02M1/00 E
, H02M1/00 H
, H02M1/08 A
, H01L27/04 H
5F038BH02
, 5F038BH12
, 5F038BH19
, 5F038DF01
, 5F038DF07
, 5F038EZ20
, 5H740BA11
, 5H740BB01
, 5H740BB05
, 5H740BC01
, 5H740BC02
, 5H740JA01
, 5H740JB02
, 5H740KK01
, 5H740MM01
, 5H740MM13
