特許
J-GLOBAL ID：200903004978326243
カーボンナノチューブ導電性低下抑制剤、カーボンナノチューブを用いた透明導電膜、及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宇高 克己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-089178
公開番号（公開出願番号）：特開2008-251271
出願日： 2007年03月29日
公開日（公表日）： 2008年10月16日
要約：
【課題】高温耐久性に優れたカーボンナノチューブを用いた透明導電膜を提供することである。【解決手段】基材上に設けられた単層カーボンナノチューブを含む導電層の上に、スルホン酸基を有する高分子層が設けられてなる透明導電膜。該透明導電膜は、長期間に亘って高温環境下に保持されていても、その導電性が低下し難く、導電膜として優れたものである。従って、画像表示装置における透明電極部材などとして非常に好ましい。スルホン酸基を有する高分子がフッ素系樹脂やポリスチレンスルホン酸共重合体である場合、導電性の高温耐久性が特に優れていた。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
単層カーボンナノチューブの温度による導電性低下を抑制する剤であって、
スルホン酸基を有する高分子からなる
ことを特徴とするカーボンナノチューブ導電性低下抑制剤。
IPC (3件)：
H01B 5/14
, H01B 13/00
, B32B 27/00
H01B5/14 A
, H01B13/00 503B
, B32B27/00 A
4F100AA37B
, 4F100AK12A
, 4F100AK17A
, 4F100AK55A
, 4F100AL01A
, 4F100BA02
, 4F100BA07
, 4F100GB41
, 4F100JJ03
, 4F100JL00
, 4F100YY00A
, 4F100YY00B
, 5G307FA01
, 5G307FA02
, 5G307FB04
, 5G307FC02
, 5G323BA05
, 5G323BB02
