特許

J-GLOBAL ID：200903004979357304

スパ-クプラグの製造方法及びスパ-クプラグ

発明者： 松谷 渉 ,  加川 純一
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-118227
公開番号（公開出願番号）：特開平11-329667
出願日： 1992年05月07日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【目的】 中心電極の発火面と接地電極の発火面の少なくとも一方に形成される貴金属塊と電極母材との熱膨張差による繰り返し熱応力を緩和でき、貴金属塊の剥離が発生し難いスパークプラグの製造方法およびスパークプラグを提供する。【構成】 電極母材成分がニッケル(Ni)を主体とする合金である電極母材2上に貴金属部材として例えば貴金属チップ4Aを設置して、その貴金属チップ側からレーザービームLBを照射する。そして、レーザビームLBを照射することにより、その貴金属チップ4Aを溶融させて、電極母材2にその電極母材成分を0.5重量%以上、80重量%以下含有する貴金属塊4を溶融固着させてスパークプラグを構成する。

請求項（抜粋）：

中心電極の発火面と対向して火花放電ギャップを形成する発火面を有する接地電極を備え、該中心電極の発火面と該接地電極の発火面の少なくともいずれか一方が貴金属塊によって形成されるスパークプラグの製造方法であって、前記中心電極と前記接地電極の少なくともいずれか一方の電極母材上に貴金属部材を設置し、該貴金属部材側からレーザビームを照射することにより、該貴金属部材を溶融させて、該電極母材にその電極母材成分を0.5重量%以上、80重量%以下含有する貴金属塊を溶融固着させることを特徴とするスパークプラグの製造方法。

IPC (3件)：

H01T 13/20 ,  H01T 13/39 ,  H01T 21/02

FI (4件)：

H01T 13/20 B ,  H01T 13/20 E ,  H01T 13/39 ,  H01T 21/02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-061780
  
• 特開平4-032179
  
• 特開平3-098279
  
• 特表平2-500704