特許

J-GLOBAL ID：200903004987242672

金属薄膜の成膜方法及びスパッタ装置

発明者： 田口 充
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-305954
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132248
出願日： 1992年10月21日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】コリメート・スパッタ法のステップ・カバレージの向上といった利点を活かした上で、金属薄膜の良好な埋め込み性を達成し得る金属薄膜の成膜方法を提供する。【構成】金属薄膜の成膜方法は、(イ)段差部を有する基材10上にコリメート・スパッタ法にて第1の下地層20を形成し、(ロ)次いで、第1の下地層20上にスパッタ法にて第2の下地層22を形成し、(ハ)その後、スパッタ法あるいはコリメート・スパッタ法にて金属又は金属化合物から成る薄膜26を形成する。

請求項（抜粋）：

(イ)段差部を有する基材上にコリメート・スパッタ法にて第1の下地層を形成し、(ロ)次いで、第1の下地層上にスパッタ法にて第2の下地層を形成し、(ハ)その後、スパッタ法あるいはコリメート・スパッタ法にて金属又は金属化合物から成る薄膜を形成することを特徴とする金属薄膜の成膜方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/3205