特許

J-GLOBAL ID：200903004987667541

半導体発光装置

発明者： 田辺 英義 ,  小川 元一
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-055711
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261321
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】p型クラッド層-活性層間における不純物の拡散を有効に防止して所望する発光特性を得ることができる、高生産性、高発光効率の半導体発光装置を提供する。【解決手段】単結晶シリコンから成る基板1の上面に、GaAs系の化合物半導体から成り、n型クラッド層4、活性層5及びp型クラッド層7を順次、積層して成る発光素子2を配設した半導体発光装置であって、前記発光素子2のp型クラッド層7-活性層5間に、GaAs系の化合物半導体を主成分とし、かつ炭素原子(C)を5×1018cm-3〜1×1020cm-3の濃度で含有する拡散抑制層6を介在させる。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコンから成る基板の上面に、GaAs系の化合物半導体から成り、n型クラッド層、活性層及びp型クラッド層を順次、積層して成る発光素子を配設した半導体発光装置であって、前記発光素子のp型クラッド層-活性層間に、GaAs系の化合物半導体を主成分とし、かつ炭素原子(C)を5×1018cm-3〜1×1020cm-3の濃度で含有する拡散抑制層を介在させたことを特徴とする半導体発光装置。

Fターム (10件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA33 ,  5F041CA36 ,  5F041CA48 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CB25