特許
J-GLOBAL ID：200903004987745542

薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置

発明者：
今井 真二

今井 真二 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-289854
公開番号（公開出願番号）：特開2009-141341
出願日： 2008年11月12日
公開日（公表日）： 2009年06月25日
要約：
【課題】本発明の目的は、電界効果移動度が高く、高ON/OFF比を有し、かつ環境温度依存性が改良されたTFTを提供することにある。およびそれを用いた表示装置を提供することである。【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物半導体を含有する活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層のキャリア濃度が3×1017/cm3以上であり、前記活性層の膜厚が0.5nm以上10nm未満であることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、アモルファス酸化物半導体を含有する活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層のキャリア濃度が3×1017/cm3以上であり、前記活性層の膜厚が0.5nm以上10nm未満であることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。
IPC (6件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/133 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/02
FI (7件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618Z ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333 500 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/02
Fターム (94件)：
2H090JB03 ,  2H090LA01 ,  2H090LA04 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092KA05 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA13 ,  2H092KA18 ,  2H092MA05 ,  2H092MA06 ,  2H092MA08 ,  2H092MA27 ,  2H092PA01 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC31 ,  3K107CC43 ,  3K107CC45 ,  3K107DD16 ,  3K107DD17 ,  3K107EE04 ,  3K107HH05 ,  5F110AA05 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE12 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG51 ,  5F110GG55 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ06
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (9件)
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