特許
J-GLOBAL ID：200903004992862182

画像形成方法

発明者：
吉田 英一

吉田 英一 について

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尾中 賢一

尾中 賢一 について

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峯 知子

峯 知子 について

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添田 香織

添田 香織 について

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中村 正彦

中村 正彦 について

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安野 政裕

安野 政裕 について


出願人/特許権者：
コニカミノルタビジネステクノロジーズ株式会社

コニカミノルタビジネステクノロジーズ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-162329
公開番号（公開出願番号）：特開2008-026887
出願日： 2007年06月20日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：
【課題】非磁性一成分現像方式で、安定して高い品質を有する画像を得ることのできる画像形成方法を提供すること。【解決手段】現像剤担持体12の表面における現像剤量を規制する現像剤層規制部材13が圧接された現像剤担持体によって担持されて搬送される現像剤によって静電潜像担持体11の表面に形成された静電潜像を非磁性一成分現像方式によって現像する画像形成方法において、現像剤表面の酸価(SAV)と現像剤の全酸価(TAV)が1<SAV/TAV≦5で、5≦TAV≦25であり、且つ現像剤の質量平均粒径(d50)(μm)と現像剤担持体の表面粗さ(Ra)(μm)との比(d50/Ra)が0.5〜3.0で、現像剤担持体の平均山間隔(Sm)が20〜200μmであることを特徴とする画像形成方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
現像剤担持体の表面における現像剤量を規制する現像剤層規制部材が圧接された現像剤担持体によって担持されて搬送される現像剤によって静電潜像担持体の表面に形成された静電潜像を非磁性一成分現像方式によって現像する画像形成方法において、現像剤表面の酸価(SAV)と現像剤の全酸価(TAV)が1<SAV/TAV≦5で、5≦TAV≦25であり、且つ現像剤の質量平均粒径(d50)(μm)と現像剤担持体の表面粗さ(Ra)(μm)との比(d50/Ra)が0.5〜3.0で、現像剤担持体の平均山間隔(Sm)が20〜200μmであることを特徴とする画像形成方法。
IPC (3件)：
G03G 15/08 ,  G03G 9/08 ,  G03G 9/087
FI (4件)：
G03G15/08 501C ,  G03G9/08 ,  G03G9/08 325 ,  G03G9/08 381
Fターム (15件)：
2H005AA01 ,  2H005AB03 ,  2H005CA02 ,  2H005EA05 ,  2H005EA10 ,  2H005FA07 ,  2H077AB03 ,  2H077AD02 ,  2H077AD06 ,  2H077AD13 ,  2H077AD17 ,  2H077AD23 ,  2H077AE03 ,  2H077EA14 ,  2H077FA01
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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