特許

J-GLOBAL ID：200903004995507324

スイッチング素子

発明者： 倉田 愼一郎 ,  小林 健二
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 楠本 高義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-197624
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021484
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 順バイアスから逆バイアスに変化させられた直後に流れる逆方向電流を低減することにより、スイッチング速度を向上させる。【構成】 ガラス基板12上に、下部電極14と、アモルファスシリコンから成るpin構造の半導体層16と、上部電極18とが形成されて構成されるスイッチング素子10において、下部電極14をクロムなどの金属層14aとITOなどの透明導電層14bとから構成される二層構造とし、半導体層16と透明導電層14bとの界面を形成した。この界面に形成されると考えられる電位障壁などによって逆方向電流を阻止し、スイッチング速度を向上させるようにした。

請求項（抜粋）：

基板上に、下部電極と、該下部電極上に堆積される半導体層と、該半導体層上に堆積される上部電極とが形成されて構成されるスイッチング素子において、前記下部電極が、1層以上の金属層と、該金属層上に堆積される透明導電層とから構成されたことを特徴とするスイッチング素子。

IPC (5件)：

H01L 29/91 ,  H01L 27/146 ,  H01L 29/40 ,  H04N 1/028 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 29/91 C ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A